Истражувачи од Кина постигнаа пробив во секторот за полупроводничка индустрија со развој на пикосекунден флеш-меморија. Според истражувачите од Универзитетот Фудан во Шангај, предметниот уред се одликува со импресивна брзина на пристап од 400 пикосекунди (или 0,4 наносекунди), што е еквивалентно на операции 25 милијарди пати во секунда. Истражувачкиот тим ја нарече оваа иновација „PoX“ и моментално се смета за најбрзиот уред за складирање на ...

Истражувачи од Кина постигнаа пробив во секторот за полупроводничка индустрија со развој на пикосекунден флеш-меморија. Според истражувачите од Универзитетот Фудан во Шангај, предметниот уред се одликува со импресивна брзина на пристап од 400 пикосекунди (или 0,4 наносекунди), што е еквивалентно на операции 25 милијарди пати во секунда. Истражувачкиот тим ја нарече оваа иновација „PoX“ и моментално се смета за најбрзиот уред за складирање на ...